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（起首：IT之家）

IT之家 8 月 4 日音书，据中国移动商酌院官方公众号当天音书，近日，中国移动商酌院奏效自主研制出首款新结构硅基外腔混书册成光源芯片。该芯片凭借 34.2 Hz 本征线宽（揣测信号频率康健性的中枢地点），终廓清相位噪声比现存居品裁汰三个量级（本征线宽从数十 kHz 裁汰到数十 Hz）的打破性发扬，为 T 比特级（每秒可传送万亿比特数据）下一代光传输激光器演进提供了全新处分决策。

其商酌服从“Sub-Hz linewidth fully integrated photonic microwave generation based on low noise hybrid InP / Si₃N₄ comb laser”被光学限度顶级学术期刊 Photonics Research 请托（影响因子 7.2，中科院 1 区 TOP）。

据先容，面向 T 比特级代际演进，“扩波段”和“提速度”是两个关键挑战。一方面，频谱需在现存 C+L 波段基础上进一步彭胀，潜在的 S+C+L 波段笼罩范畴将由 100nm 提高到 180nm；另一方面，信号波特率将有望由 130GBaud 提高至 200GBaud。

以上两点均对 T 比特级代际演进中光传输芯片的性能建议了严峻挑战。同期，相较于相对纯熟的电芯片，光芯片的翻新时时依赖于新物理机制与新材料打破。因此，开展光传输基础芯片翻新商酌，对中国移动把控下一代光传输时代演进、引颈 T 比特级代际改革具有计谋道理。

中国移动商酌院以 T 比特级高速有关光通讯的“引擎”—— 可调谐窄线宽激光器为中枢打破口，系统性地布局超宽谱、超高速光传输基础芯片商酌。针对 T 比特级波段彭胀和速度提高两大中枢挑战，团队通过三大时代翻新打破了传统决策的瓶颈，终了波段笼罩提高 100%、线宽裁汰三个量级的性能提高，为 T 比特级光传输系统的终了奠定坚实的高性能芯片基础。

▲ 自研硅基外腔激光器 (a) 晶圆及 (b) 芯片（片上刻蚀 CMRI 绚丽）

IT之家附具体上风如下：

中国移动商酌院先容称，样式团队历经三年攻关，全程主导从结构计算、参数仿真到河山布局、流片封装、原型考据全过程研发，先后完成两次晶圆迭代流片以及七次原型封装考据，编写芯片中枢结构代码数千行。

在终了调谐范畴、线宽等要道性能地点打破的同期，样式团队还通过优化结构计算和河山布局，将芯单方面积缩减 90%，达到 1.5mm×4mm，且兼容圭表的紧凑型 nano 封装，具备居品化利用出路。该芯片是中国移动首款全自研光源芯片，从计算、制备到封装均在国内完成，终廓清全链条自主可控。

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